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2023 - 02 - 01
點(diǎn)擊次數(shù):
2023 - 02 - 01
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發(fā)布時(shí)間： 2026 - 01 - 01
引言：迎接挑戰(zhàn)，把握質(zhì)量核心在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，特別是功率器件領(lǐng)域，可控硅（SCR）作為關(guān)鍵元件，其電性能參數(shù)的精確性與一致性直接關(guān)系到終端產(chǎn)品的可靠性、能效與壽命。面對日益嚴(yán)苛的市場標(biāo)準(zhǔn)與大規(guī)模生產(chǎn)需求，傳統(tǒng)測試方法在效率、精度、穩(wěn)定性及數(shù)據(jù)管理方面已顯乏力。如何實(shí)現(xiàn)快速、精準(zhǔn)、可靠的生產(chǎn)線全參數(shù)測試，成為企業(yè)提升競爭力必須跨越的關(guān)口?？煽毓枭a(chǎn)線測試系統(tǒng)為此，我們隆重推出專為生產(chǎn)線優(yōu)化設(shè)計(jì)的 “可控硅器件電性能參數(shù)生產(chǎn)線測試系統(tǒng)” ，其核心正是我們備受業(yè)界贊譽(yù)的 STD2000X系列半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)。本系統(tǒng)旨在為客戶提供一站式、高吞吐、高可靠的測試解決方案。一、核心設(shè)備：STD2000X半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)STD2000X是我們基于多年行業(yè)經(jīng)驗(yàn)與技術(shù)積累，自主研發(fā)的新一代高性能、模塊化測試平臺。它專門針對二極管、晶體管、MOSFET、IGBT、可控硅（SCR、TRIAC等）及其他功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù)測試而優(yōu)化設(shè)計(jì)?？煽毓枭a(chǎn)線測試系統(tǒng)核心優(yōu)勢亮點(diǎn)：1.超高精度與穩(wěn)定性：采用先進(jìn)的精密測量單元與低噪聲設(shè)計(jì)，確保對觸發(fā)電流（IGT）、維持電流（IH）、正向/反向擊穿電壓（VDRM、VRRM）、通態(tài)峰值壓降（VTM） 等關(guān)鍵參數(shù)進(jìn)行納米級精度測量。出色的溫度穩(wěn)定性與長期重復(fù)性，保障7x24小時(shí)連續(xù)生產(chǎn)測試數(shù)據(jù)準(zhǔn)確可靠，極大降低誤判率。 2.卓越的測試效率：高速測量通道與并行測試能力，配合優(yōu)化的測試算法，顯著縮短單個(gè)器件的測試時(shí)間。可靈活配置多工位并行測試架構(gòu)，滿足生產(chǎn)線高吞吐量要求，大幅提升人均產(chǎn)值。 3.強(qiáng)大的系統(tǒng)集成與擴(kuò)展性：模塊化硬件設(shè)計(jì)，可根據(jù)客戶具體測試需求（如電壓/電流量程、通道數(shù)量）靈活配置，保護(hù)投資。提供標(biāo)準(zhǔn)通信接口（GPIB、LAN、RS-232等），易于與上位機(jī)（PC）、自動(dòng)化機(jī)械手（H...
發(fā)布時(shí)間： 2025 - 04 - 15
能測很多半導(dǎo)體分立器件功率器件靜態(tài)參數(shù)以及IV曲線掃描。如 Si, SiC, GaN 材料的 IGBTs，Diodes，MOSFETs，HEMT，BJTs，SCRs，光耦，繼電器，穩(wěn)壓器......可以外接夾具、工裝、探針臺、分選機(jī)、編帶機(jī)、機(jī)械手、高壓源1400V（選配2KV/3.5KV/6.5KV），高流源40A（選配100A,200A,500A,1500A）柵極電壓電流20V（選配40V/100V）分辨率最高至1.5uV/1.5pA/100fA，精度最高可至0.1%。
發(fā)布時(shí)間： 2025 - 04 - 15
光耦測試儀可測試各類光耦。高低溫實(shí)時(shí)在線測試解決方案，包括隔離數(shù)字光耦、高速光耦、線性光耦等、模擬光耦、光電邏輯、光電開關(guān)等所有光耦類器件。測試參數(shù)包括VF、IF、VR、IR、CTR、VCE(sat)、Ron、Ioff、ITH、V(BR)CEO、V(BR)ECO、ICEO、Tr、Tf、ton、toff、tpLH、tpHL、tELH、tEHL、ICCL、ICCH、VEL、VEH、IEH、IEL、VOH、VOL、IOH、IOL、UVLO+、UVLO-、IFLH、VFHL、BW。
發(fā)布時(shí)間： 2025 - 04 - 15
是一款主要面向“單管級器件”用戶服務(wù)的測試設(shè)備，可實(shí)現(xiàn)對Si基（選配SiC/GaN）材料的 IGBT、MOS-FET、Diode、BJT 的多種動(dòng)態(tài)參數(shù)的精確測試，測試原理符合國軍標(biāo)。測試項(xiàng)目包括開通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間、上升時(shí)間、下降時(shí)間、導(dǎo)通延遲時(shí)間、關(guān)斷延 遲時(shí)間、開通損耗、關(guān)斷損耗、柵極總電荷、柵源充電電量、平臺電壓、反向恢復(fù)時(shí)間、反向恢復(fù)充電電量、反向恢復(fù)電流、反向恢復(fù)損耗、反向恢復(fù)電流變化率、反向恢復(fù)電壓變化率、輸入電容、輸出電容、反向轉(zhuǎn)移電容、短路等等。通過更換不同個(gè)性單元（簡稱 DUT）以達(dá)到對應(yīng)的測試項(xiàng)目，通過軟件切換可以選擇測試單元、測試項(xiàng)目及配置測試參數(shù)、讀取保存測試結(jié)果。系統(tǒng)集成度高，性能穩(wěn)定，具有升級擴(kuò)展?jié)撃芎土己玫娜藱C(jī)交互。
發(fā)布時(shí)間： 2025 - 04 - 15
系列主要用于 IGBT/DIODE /MOSFET 等器件的靜態(tài)參數(shù)（ICES +VTH +IGES +VF +VCEsat +V(BR)CES+GFS+KELVIN）測試，測試方案完全符合IEC60747-9國際標(biāo)準(zhǔn)。
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